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BSP135H6433XTMA1  与  BSP135 H6327  区别

型号 BSP135H6433XTMA1 BSP135 H6327
唯样编号 A-BSP135H6433XTMA1 A-BSP135 H6327
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25Ω
上升时间 - 5.6ns
Qg-栅极电荷 - 4.9nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 146pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 80mS
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.9nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 120mA
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 45 欧姆 @ 120mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 0V,10V -
下降时间 - 182ns
高度 - 1.6mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V @ 94uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSP135
FET功能 耗尽模式 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 5.4ns
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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